集中素子RF／マイクロ波フィルタ

3DGS LC共振器は、高Q値3Dインダクタ（Q > 90）およびキャパシタ（Q > 200）をシングルデバイスとして発振器やタイミング回路に集積することができます。超薄型で、PLL ICパッケージやMCMへの組込みが容易です。

製品特性の概要：

高Q値・低挿入損失フィルタ3DGSの集中素子RF／マイクロ波フィルタは、他のガラス基板シリコンIPDやプレーナIPDと比べて、RF System-in-Package性能を大きく引き上げることで、デバイスの全体的な性能を向上させています。

3DGSは、ガラス基板にインダクタとキャパシタを形成することで完全な3D構造を構築します。これにより、次のメリットが得られます。

パッケージング
パッケージングは、用途に合わせてカスタマイズできます。一般的なパッケージング相互接続方法としては、SMTおよびワイヤボンド方式などがあります。組込式フィルタデバイスは、振動、衝撃、熱サイクル、湿度など、各種JEDECおよびIPC試験規格への適合が確認されています。

製品
3DGSの技術により、相互接続寄生効果を最小限に抑えつつ、構成部品を単一のモノリシックデバイスに高密度で集積することに成功しました。その結果、容積とフットプリントが最小化されると同時に、フィルタの性能が最大限に高められています。

お客様のご要望により、次のような設計が可能です。

1. 高Q値キャパシタ
高Q値性能のカスタム設計キャパシタ

2. 高Q値インダクタ
高Q値性能のカスタム設計インダクタ

3. TGV周囲
グラウンドおよびシールド用のThrough Glass Via（TGV）がEMI／RFIを最小化

4. フレキシブルな相互接続技術
SMT、ワイヤボンド、プローブ

-> シームレスな集積
高Q値インダクタ（Q > 90）およびキャパシタ（Q > 200）を単一の低損失・小型RFデバイスにシームレスに集積し、不要なRF寄生を最小化します。

説明
フィルタ、バンドパスフィルタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、カプラ、コンバイナ／スプリッタ、ダイプレクサ
0.5～10GHz
4GHzで< 0.2dB
> 5W
SMT、ワイヤボンド
RoHS準拠、無鉛