RFブリッジ
製品特性の概要：
カスタムRFブリッジ
ワイヤボンド長が均一なインピーダンスマッチングRFブリッジを組込むことで、回路間の電気接続が向上します。RFブリッジは、チップの集積と高さに関するブリッジ要件に応じてカスタム設計されます。
高度な拡張性
リソグラフィ再生プロセスにより、バッチ間の一貫性を確保した大量生産が可能です。
グラウンデッドコプレーナ導波管設計
3DGSのRFブリッジは、低損失TGVガラス基板を使用しています。RF導波管は伝送線路の両側と下側がグラウンディングされているため、高い性能を発揮します。上面のワイヤパッドは、ワイヤボンドに対応可能です。
1. Through Glass Via（TGV）
精密に加工されたTGVが、上下の金属間でデバイスを確実にグラウンディング
正確なインピーダンスマッチング
精密な厚さ管理（最小90µm厚）で、正確なインピーダンスマッチングが可能
2. ガラス基板とフレーム
ガラス支持構造によりデバイスのハンドリングが容易。フリップチップ、SMT、またはワイヤボンディング設計と多彩な表面仕上オプションから選択可能
グラウンデッドコプレーナ導波管設計
低損失ガラス基板とTGVにより精密なインピーダンスマッチングを実現
仕様：
| パラメータ | 性能代表値 |
|---|---|
| インピーダンス値 | 25～100Ω |
| 厚さ | 90～800μm |
| 減衰（dB） | 30GHzで最低0.3dB/cm |
| サイズ | 最小0.5mm x 0.5mm |
| 動作温度 | SMT -55°C～+155°C |
| 準拠規格 | RoHS |