RF SiP（System in Package）
RF SiP（System in Package）
ガラスを用いた小型フットプリントSiPが次世代RF・無線設計を実現。DCから100GHzにわたる広帯域用途の拡大を促進します。
製品特性の概要：
ソリューション概要
製品の明確な差別化を可能にするガラスベースのRF SiPインターポーザ。3DGSの特許取得済みAPEX®ガラスを用いることで、極小フットプリントで高付加価値システムの集積化を実現しており、次世代RF・無線製品の最も厳格な要件にも対応することができます。
このインターポーザ技術の中核にあるのは、ミクロン単位の再配線幅と間隔（< 30µm）を備えるI/O用の精密なThrough Glass Via（TGV、直径50µm）を形成する能力です。さらに、集積型パッシブデバイス（インダクタ、キャパシタなど）をガラス内に形成することで高度なRF性能を実現しています。
主な利点
- 異種機能集積化（HI）：デジタルIC、アナログIC、RF IC、およびMEMSを1つの共通パッケージに集積
- PCBに比べ、チップサイズを70%縮小
- 消費電力を20%削減
- 無線帯域を50%増加
- DC～100GHzの広帯域用途
- パッシブデバイス（インダクタ、キャパシタ、バラン、アンテナなど）をパッケージに実装
- 組立コストを最小化することで製品コストを削減
- 市場投入時間を短縮
1. TGV周囲
グラウンドおよびシールド用のThrough Glass Via（TGV）、EMIを最小化。
2. 高Q値インダクタ
高Q値性能のカスタム設計インダクタ。
3. 高Q値キャパシタ
高Q値性能のカスタム設計キャパシタ。
4. 組立ソリューション
ワイヤボンド、SMT、フリップチップ、スタッドバンプなど、多様な組立方法に適したパッケージングソリューションを提供。
図1. 集中素子RFフィルタ
3DGSのAPEX®ガラスは、他のパッケージング技術と比べ、RF SiP製品におけるパッシブデバイスとアクティブデバイスの最高システムレベルでの集積化を可能にします。
図2. IPDマッチングネットワーク
SiP組立オプションは用途に合わせてカスタマイズ可能です。SMTプロセスやワイヤボンド、フリップチップで接合するダイレクトマウントなどの標準的なチップ集積方法は、3DGSの2.5D SiP製品で容易に実現できます。
一般的な用途
• 無線ハンドヘルドデバイスおよびインフラストラクチャデバイス
• 高周波数・高性能RFデバイス
• 400GB/秒および600GB/秒の光トランシーバー電子パッケージ
• MEMSセンサパッケージ
• インターネットインフラ部品
• 集積フォトニック部品
• 異種機能集積電子パッケージ
| パラメータ | 代表値 | 性能限界 |
|---|---|---|
| サイズ | < 5mm x 5mm | < 40mm x 40mm |
| 高さ | 300µm | > 200µm |
| TGV直径 | > 50µm | > 30µm |
| 金属再配線幅／線間隔 | 30µm／30µm | 10µm／10µm |
| 周波数範囲 | 0.5～60GHz | 0.5～60GHz |
| コネクタ | SMT、フリップチップ、ワイヤボンド | SMT、フリップチップ、ワイヤボンド |
| 準拠規格 | RoHS準拠、無鉛 | RoHS準拠、無鉛 |