ソリューション概要
製品の明確な差別化を可能にするガラスベースのRF SiPインターポーザ。3DGSの特許取得済みAPEX®ガラスを用いることで、極小フットプリントで高付加価値システムの集積化を実現しており、次世代RF・無線製品の最も厳格な要件にも対応することができます。

このインターポーザ技術の中核にあるのは、ミクロン単位の再配線幅と間隔（< 30µm）を備えるI/O用の精密なThrough Glass Via（TGV、直径50µm）を形成する能力です。さらに、集積型パッシブデバイス（インダクタ、キャパシタなど）をガラス内に形成することで高度なRF性能を実現しています。

主な利点 

• 異種機能集積化（HI）：デジタルIC、アナログIC、RF IC、およびMEMSを1つの共通パッケージに集積
• PCBに比べ、チップサイズを70%縮小
• 消費電力を20%削減
• 無線帯域を50%増加
• DC～100GHzの広帯域用途
• パッシブデバイス（インダクタ、キャパシタ、バラン、アンテナなど）をパッケージに実装
• 組立コストを最小化することで製品コストを削減
• 市場投入時間を短縮